超越摩尔More than-Moore(MtM)的目标是扩展微电子行业开发的硅基技术的使用,增加系统功能的多样性,在一个芯片上集成和实现丰富的功能。微纳器件是一种尺寸在微米级或纳米级的电子器件,常常用于各种传感器、执行器和微型系统中,未来趋势是尺寸缩小、多功能集成、智能化和应用拓展,广泛应用于信息技术、生物医学、能源、环境、光电子、显示等领域。在科技和工业中的重要性将持续增加,其中MEMS、IGBT和LED都是常见的微纳器件类型。
• MEMS:指利用半导体生产工艺构造的集微传感器、信号处理和控制电路、微执行器、通讯接口和电源等部件于一体的微米至毫米尺寸的微型器件或系统,尺寸范围从 1 µm 到 100 µm 的微系统组件。MEMS 可以表现为复杂的机器,如传感器和执行器,也可以表现为简单的结构,如悬臂、齿轮或其他机械部件,MEMS 制造依赖于半导体工艺技术,包括层沉积、光刻图案化和蚀刻技术,以实现所需的器件形状。
• IGBT:是一种功率半导体器件,它结合了晶闸管的触发特性和场效应晶体管的高频特性。IGBT常被用于控制大功率的电流和电压,因此在电力变换和控制领域得到广泛应用。IGBT主要应用于变频调速、电力传输和配电、汽车电子、工业自动化和可再生能源等领域。
• LED:发光二极管,是一种半导体器件,能够将电能直接转换为光能。具有高效节能、长寿命、小巧轻便、节能环保、可调光性、高色彩还原性等特点,被广泛应用在照明、电子显示、汽车照明、信号与指示灯等领域。
产品优势:
• 采用更精确的对准技术和设备,减小对准偏差,提高电路图形的匹配性和精度
• 曝光能量均匀稳定,保证电路图形曝光深度的一致性,加强器件电性能
• 曝光参数可灵活调节,根据生产需求可自由调节曝光时间、曝光强度等,避免图案转移不完整或尺寸失真,从而产生的器件结构缺陷
• 精细的线宽,助力各种精细结构形状和尺寸的制作
• 优异的线路控制,保证微结构边墙的精细度,提升器件性能