描述： 适用于6/8/12inch等集成电路先进封装领域，包括Wafer、RDL、Bumping、TSV等制程工艺，能够对MEMS、IGBT、COMS图像传感器、微纳光学领域等精细图像的曝光。
产品特点：
•  直接成像系统（无需物理掩模）
•  分辨率：1um
•  套刻精度：±0.1um
•  多尺寸基底自适应切换
•  边缘保护/边缘曝光
•  翘曲片处理
•  智能涨缩功能

描述： 适用于6/8/12inch等集成电路先进封装领域，包括Wafer、RDL、Bumping、TSV等制程工艺，能够对MEMS、IGBT、COMS图像传感器、微纳光学领域等精细图像的曝光。
产品特点：
•  直接成像系统（无需物理掩模）
•  分辨率：3um
•  套刻精度：±0.1um
•  多尺寸基底自适应切换
•  边缘保护/边缘曝光
•  翘曲片处理
•  智能涨缩功能

描述： 适用于6/8/12inch等集成电路先进封装领域，包括Wafer、RDL、Bumping、TSV等制程工艺，能够对MEMS、IGBT、COMS图像传感器、微纳光学领域等精细图像的曝光。
产品特点：
•  直接成像系统（无需物理掩模）
•  分辨率：8um
•  套刻精度：±0.1um
•  多尺寸基底自适应切换
•  边缘保护/边缘曝光
•  翘曲片处理
•  智能涨缩功能